[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体结构在审
| 申请号： | 201610341652.0 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107403837A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体结构，该横向双扩散金属氧化物半导体结构的源极区域和/或漏极区域内设置有至少两个场板；其中，在源极区域中，第二场板与场氧层之间的距离小于第四场板与场氧层之间的距离时，在源极到漏极方向上，第二场板的长度小于第四场板的长度，且第一场板的长度小于第二场板的长度；在漏极区域中，第三场板与场氧层之间的距离小于第五场板与场氧层之间的距离时，在源极到漏极方向上，第三场板的长度小于第五场板的长度。本发明的实施例能够在整个低掺杂区域的横向场强上分布多个场强的峰值，从而弱化PN结处的场强，提升器件的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体结构，包括栅极区域、源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的场氧层、覆盖在所述场氧层上的第一介质层、覆盖在所述第一介质层上的第二介质层，所述栅极区域设置有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层向所述场氧层上延伸，且所述第一多晶硅层延伸到所述场氧层上的部分形成第一场板，其特征在于，所述源极区域和/或所述漏极区域内设置有至少两个场板；其中，在所述源极区域中，第二场板与所述场氧层之间的距离小于第四场板与所述场氧层之间的距离时，在源极到漏极方向上，所述第二场板的长度小于所述第四场板的长度，且所述第一场板的长度小于所述第二场板的长度；在所述漏极区域中，第三场板与所述场氧层之间的距离小于第五场板与所述场氧层之间的距离时，在源极到漏极方向上，所述第三场板的长度小于所述第五场板的长度。
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