[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体结构

权利要求书

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体结构，包括栅极区域、源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的场氧层、覆盖在所述场氧层上的第一介质层、覆盖在所述第一介质层上的第二介质层，所述栅极区域设置有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层向所述场氧层上延伸，且所述第一多晶硅层延伸到所述场氧层上的部分形成第一场板，其特征在于，所述源极区域和/或所述漏极区域内设置有至少两个场板；

其中，在所述源极区域中，第二场板与所述场氧层之间的距离小于第四场板与所述场氧层之间的距离时，在源极到漏极方向上，所述第二场板的长度小于所述第四场板的长度，且所述第一场板的长度小于所述第二场板的长度；

在所述漏极区域中，第三场板与所述场氧层之间的距离小于第五场板与所述场氧层之间的距离时，在源极到漏极方向上，所述第三场板的长度小于所述第五场板的长度。

2.如权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，

所述源极区域内，设置在所述第一介质层上的第一金属层在所述场氧层上的投影与所述场氧层具有第一重叠部分，且与所述第一重叠部分对应的所述第一金属层形成为所述第二场板；

所述漏极区域内，设置在所述第一介质层上的第一金属层在所述场氧层的投影与所述场氧层具有第二重叠部分，且与所述第二重叠部分对应的所述第一金属层形成为所述第三场板；

所述源极区域内，设置在所述第二介质层上的第二金属层在所述场氧层的投影与所述场氧层具有第三重叠部分，且与所述第三重叠部分对应的所述第二金属层形成为所述第四场板；

所述漏极区域内，设置在所述第二介质层上的第二金属层在所述场氧层的投影与所述场氧层具有第四重叠部分，且与所述第四重叠部分对应的所述第二金属层形成为第五场板。

3.如权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述漏极区域内设置有与所述第一金属层连接的第二多晶硅层，所述第二多晶 硅层向所述场氧层上延伸，且所述第二多晶硅层延伸到所述场氧层上的部分形成第六场板，且所述第六场板在源极到漏极方向上的长度小于所述第三场板在源极到漏极方向上的长度。

4.如权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第三场板在源极到漏极方向上的长度等于所述第二场板和所述第一场板在源极到漏极方向上的长度之差。

5.如权利要求4所述的横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第三场板在源极到漏极方向上的长度为所述场氧层在源极到漏极方向上的长度的4％～10％。

6.如权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第四场板和所述第二场板在源极到漏极方向上的长度之差等于所述第五场板和所述第三场板在源极到漏极方向上的长度之差。

7.如权利要求6所述的横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第四场板和所述第二场板在源极到漏极方向上的长度之差为所述场氧层在源极到漏极方向上的长度的2％～8％。

8.如权利要求3所述的横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第一金属层通过设置在所述第一介质层上的第一过孔与重掺杂区域连接，所述第二金属层通过设置在所述第二介质层上的第二过孔与所述第一金属层连接。

9.如权利要求8所述的横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第二过孔位于所述第一过孔的正上方。

10.如权利要求8所述的横向双扩散金属氧化物半导体结构，其特征在于，所述第二多晶硅层与所述第一金属层延伸至所述漏极区域内的所述第一过孔中的部分连接。