[发明专利]一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件及版图有效
| 申请号： | 201610340217.6 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107403836B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 杜蕾 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件及版图，该LDMOS器件包括：P型衬底；形成于P型衬底上的耗尽区；耗尽区包括沿第一方向依次排列的至少两个直道区域和在直道区域的一端连接两个直道区域的过渡区域；两个直道区域包括：第一直道区域和第二直道区域，第一直道区域的第一边界与第二直道区域的第二边界之间的距离为第一预设距离；过渡区域包括与第一边界平行且连接的第三边界和与第二边界平行且连接的第四边界，其中第四边界与第三边界之间的距离为第二预设距离；第一预设距离小于第二预设距离。本发明解决了LDMOS由于电场集中效应会导致器件失效的问题，提升了产品可靠性，提高了市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 ldmos 器件 版图 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件，其特征在于，包括：P型衬底；形成于所述P型衬底上的耗尽区；所述耗尽区包括沿第一方向依次排列的至少两个直道区域和在所述直道区域的一端连接两个所述直道区域的过渡区域；其中，所述两个直道区域包括：第一直道区域和第二直道区域，所述第一直道区域的第一边界与所述第二直道区域的第二边界之间的距离为第一预设距离，所述第一边界为远离所述第二直道区域的边界，所述第二边界为远离所述第一直道区域的边界；所述过渡区域包括与所述第一边界平行且连接的第三边界和与所述第二边界平行且连接的第四边界，其中所述第四边界与所述第三边界之间的距离为第二预设距离；所述第一预设距离小于所述第二预设距离。
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