[发明专利]一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件及版图

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件，其特征在于，包括：P型衬底；

形成于所述P型衬底上的耗尽区；

所述耗尽区包括沿第一方向依次排列的至少两个直道区域和在所述直道区域的一端连接两个所述直道区域的过渡区域；其中，

所述两个直道区域包括：第一直道区域和第二直道区域，所述第一直道区域的第一边界与所述第二直道区域的第二边界之间的距离为第一预设距离，所述第一边界为远离所述第二直道区域的边界，所述第二边界为远离所述第一直道区域的边界；

所述过渡区域包括与所述第一边界平行且连接的第三边界和与所述第二边界平行且连接的第四边界，其中所述第四边界与所述第三边界之间的距离为第二预设距离；所述过渡区域还包括：位于所述第一直道区域的第八边界的延长方向，并与所述第八边界连接的第十边界；以及位于所述第二直道区域的第九边界的延长方向，并与所述第九边界连接的第十一边界；其中，所述第八边界为靠近所述第二直道区域的边界，所述第九边界为靠近所述第一直道区域的边界，所述第八边界与所述第九边界平行；

所述第一预设距离小于所述第二预设距离。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第三边界通过呈斜线的第五边界与所述第一边界连接，所述第四边界通过呈斜线的第六边界与所述第二边界连接。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第五边界与所述第一边界的反向延长线之间的夹角、所述第六边界与所述第二边界的反向延长线之间的夹角均为第一预设角度值，所述第一预设角度值的取值范围为15度~45度。

4.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第三边界、第四边界与相邻的直道区域间的距离均为5.6微米。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括：形成于所述P型衬底上、位于所述第一直道区域和第二直道区域之间的P型重掺杂区域。

6.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述P型重掺杂区域延伸至所述过渡区域，距所述过渡区域的第七边界的距离为第一预设数值，所述第七边界为连接所述第三边界与所述第四边界的边界；

朝向所述过渡区域的底部的方向，所述P型重掺杂区域超出所述第一直道区域的长度为第二预设数值；

所述第一预设数值为所述第二预设数值的2倍。

7.一种横向扩散金属氧化物半导体LDMOS器件的版图结构，其特征在于，包括与LDMOS器件的耗尽区相对应的耗尽区部位，所述耗尽区部位包括沿第一方向依次排列的至少两个直道区域部位和在所述直道区域部位的一端连接两个所述直道区域部位的过渡区域部位；其中，

所述两个直道区域部位分别为第一直道区域部位和第二直道区域部位，所述第一直道区域部位的第一边界与所述第二直道区域部位的第二边界之间的距离为第一预设距离，所述第一边界为远离所述第二直道区域部位的边界，所述第二边界为远离所述第一直道区域部位的边界；

所述过渡区域部位包括与所述第一边界平行且连接的第三边界和与所述第二边界平行且连接的第四边界，其中所述第四边界与所述第三边界之间的距离为第二预设距离；所述过渡区域部位还包括：位于所述第一直道区域部位的第八边界的延长方向，并与所述第八边界连接的第十边界；以及位于所述第二直道区域部位的第九边界的延长方向，并与所述第九边界连接的第十一边界；其中，所述第八边界为靠近所述第二直道区域部位的边界，所述第九边界为靠近所述第一直道区域部位的边界，所述第八边界与所述第九边界平行；

所述第一预设距离小于所述第二预设距离。

8.根据权利要求7所述的版图结构，其特征在于，所述第三边界通过呈斜线的第五边界与所述第一边界连接，所述第四边界通过呈斜线的第六边界与所述第二边界连接。