[发明专利]倒装发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201610336713.4 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106025028B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 熊伟平;杨恕帆;杨美佳;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有图形化透明键合层的倒装发光二极管芯片及其制作方法，结构包括：外延叠层，具有相对的上表面和下表面，包含n型半导体层、有源层、p型半导体层，所述n型半导体层、有源层的部分区域被蚀刻，露出部分p型半导体层；第一电极和第二电极，位于所述外延叠层的下表面，其中所述第一电极设置于所述n型半导体层的表面上，所述第二电极设置于所述露出的p型半导体层的表面上；透明介质层，位于所述外延叠层的上表面之上，其上表面形成有网格状或阵列状凹陷区域；图形化透明键合介质层，填满所述透明介质层上的凹陷区域，并且其上表面与所述透明介质层上表面处于同一平面。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 透明介质层 外延叠层 倒装发光二极管芯片 凹陷区域 第二电极 第一电极 透明键 图形化 下表面 源层 蚀刻 介质层 网格状 阵列状 合层 填满 制作 | ||
【主权项】：
1.倒装发光二极管芯片，包括：外延叠层，具有相对的上表面和下表面，包含n型半导体层、有源层、p型半导体层，所述n型半导体层、有源层的部分区域被蚀刻，露出部分p型半导体层；第一电极和第二电极，位于所述外延叠层的下表面，其中所述第一电极设置于所述n型半导体层的表面上，所述第二电极设置于所述露出的p型半导体层的表面上；透明介质层，位于所述外延叠层的上表面之上，其上表面形成有网格状或阵列状凹陷区域；图形化透明键合介质层，填满所述透明介质层上的凹陷区域，并且其上表面与所述透明介质层上表面处于同一平面；透明衬底，连接所述图形化透明键合介质层及透明介质层的上表面。
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