[发明专利]去除含氧副产物、清洗刻蚀腔和形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201610315861.8 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107369603A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 黄瑞轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除含氧副产物、清洗刻蚀腔和形成半导体结构的方法，其中，所述清洗刻蚀腔的方法包括提供刻蚀反应器，所述刻蚀反应器包括刻蚀腔，所述刻蚀腔侧壁表面具有含氧副产物；对所述反应腔进行清洗处理，所述清洗处理包括向所述刻蚀腔侧壁表面通入第一反应气体，所述第一反应气体包括置换原子，所述置换原子与氧原子形成的化学键的离解能大于硼氧键的离解能。所述清洗刻蚀腔的方法能够较彻底地去除刻蚀腔侧壁表面的所述含氧副产物。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 副产物 清洗 刻蚀 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种去除含氧副产物的方法，其特征在于，包括：提供待清洗件，所述待清洗件表面具有含氧副产物；向所述待清洗件表面通入第一反应气体，所述第一反应气体包括置换原子，所述置换原子与氧原子形成的化学键的离解能大于硼氧键的离解能。
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