[发明专利]去除含氧副产物、清洗刻蚀腔和形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201610315861.8 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107369603A | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 黄瑞轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 副产物 清洗 刻蚀 形成 半导体 结构 方法 | ||
1.一种去除含氧副产物的方法，其特征在于，包括：
提供待清洗件，所述待清洗件表面具有含氧副产物；
向所述待清洗件表面通入第一反应气体，所述第一反应气体包括置换原子，所述置换原子与氧原子形成的化学键的离解能大于硼氧键的离解能。
2.如权利要求1所述的去除含氧副产物的方法，其特征在于，所述第一反应气体包括含碳气体。
3.如权利要求2所述的去除含氧副产物的方法，其特征在于，所述第一反应气体包括：氟利昂气体或氟利昂气体与卤族元素气体单质的组合。
4.如权利要求3所述的去除含氧副产物的方法，其特征在于，所述第一反应气体包括：CHF3，CHCl3，CH2F2或CHF3、CHCl3、CH2F2、CH4和Cl2的组合。
5.如权利要求1所述的去除含氧副产物的方法，其特征在于，所述第一反应气体包括：CHF3和Cl2；
向所述待清洗件表面通入第一反应气体的步骤中，CHF3的流量为10sccm～400sccm；Cl2的流量为5sccm～200sccm。
6.如权利要求1所述的去除含氧副产物的方法，其特征在于，所述含氧副产物包括金属氧化物；所述金属氧化物中金属原子与氧原子形成的化学键的离解能小于所述置换原子与氧原子形成的化学键的离解能。
7.如权利要求6所述的去除含氧副产物的方法，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化钛或氧化铝。
8.如权利要求1所述的去除含氧副产物的方法，其特征在于，所述第一反应气体与所述含氧副产物反应形成第一反应产物；
去除所述第一反应产物的步骤包括：通过挥发工艺去除所述第一反应产物。
9.一种清洗刻蚀腔的方法，其特征在于，包括：
提供刻蚀反应器，所述刻蚀反应器包括刻蚀腔，所述刻蚀腔侧壁表面具有含氧副产物；
对所述反应器侧壁进行清洗处理，所述清洗处理包括：向所述刻蚀腔侧壁表面通入第一反应气体，所述第一反应气体包括置换原子，所述置换原子与氧原子形成的化学键的离解能大于硼氧键的离解能。
10.如权利要求9所述的清洗刻蚀腔的方法，其特征在于，所述第一反应气体包括：氟利昂气体或氟利昂气体与卤族元素气体单质的组合。
11.如权利要求10所述的清洗刻蚀腔的方法，其特征在于，所述第一反应气体包括：CHF3，CHCl3，CH2F2或CHF3、CHCl3、CH2F2、CH4和Cl2的组合。
12.如权利要求9所述的清洗刻蚀腔的方法，其特征在于，所述第一反应气体包括：CHF3和Cl2；
向所述刻蚀腔侧壁表面通入第一反应气体的步骤中，CHF3的流量为10sccm～400sccm；Cl2的流量为5sccm～200sccm。
13.如权利要求9所述的清洗刻蚀腔的方法，其特征在于，所述含氧副产物包括金属氧化物，所述金属氧化物中金属原子与氧原子形成的化学键的离解能小于所述置换原子与氧原子形成的化学键的离解能。
14.如权利要求13所述的清洗刻蚀腔的方法，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化钛或氧化铝。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610315861.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：反应腔室及半导体加工设备
- 下一篇：反应腔室及半导体加工设备
