[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供能降低接触电阻且能提高可靠性的半导体装置的制造方法。首先遍及层间绝缘膜(2)表面和形成于在接触孔(2a)露出的半导体部的沟槽(3)的内壁形成阻挡层金属(6)，进行基于RTA的热处理和等离子体氮化处理，之后在接触孔(2a)和沟槽(3)的内部的阻挡层金属(6)内侧埋设插塞(7)。基于RTA的热处理以500℃以上且650℃以下程度的温度进行。等离子体氮化处理以比基于RTA的热处理温度低的温度进行。阻挡层金属(6)依次形成由钛构成的第一金属膜(4)和由氮化钛构成的第二金属膜(5)。插塞(7)由钨构成。从层间绝缘膜(2)上的第二金属膜(5)的表面到插塞(7)的表面形成由铝构成的正面电极(8)。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，在半导体基板的表面形成绝缘膜；第二工序，形成沿深度方向贯通所述绝缘膜而到达所述半导体基板的接触孔；第三工序，遍及所述氧化膜的表面和所述半导体基板的露在所述接触孔的半导体部的表面，形成由钛构成的第一金属膜；第四工序，在所述第一金属膜的表面形成由氮化钛构成的第二金属膜；第五工序，通过热处理使所述第一金属膜硅化；第六工序，通过等离子体氮化处理使所述第一金属膜和所述第二金属膜内未反应而残留的钛原子氮化；第七工序，在所述第五工序和所述第六工序之后，在所述接触孔的内部的所述第二金属膜的内侧埋设由钨构成的插塞；以及第八工序，遍及所述绝缘膜上的所述第二金属膜的表面和所述插塞的表面，形成以铝为主要成分的表面电极，在所述第五工序中，以所述第一金属膜和所述第二金属膜内的钛原子与所述绝缘膜内的氧原子不发生反应的温度进行所述热处理。