[发明专利]过渡性发光二极管以及制造发光二极管的方法在审
| 申请号： | 201610298440.9 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN106486569A | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈立宜;林师勤;李欣薇;张珮瑜 | 申请（专利权）人： | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人： | 王正茂,丛芳 |
| 地址： | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种过渡性发光二极管以及制造发光二极管的方法。制造发光二极管的方法包含在生长基板上磊晶成长至少一个发光二极管结构；在发光二极管结构上形成至少一个支撑层；通过粘着层，暂时性将支撑层与载体基板粘合，其中支撑层具有高于粘着层的杨氏系数；以及从发光二极管结构上移除生长基板。借此，本发明的制造发光二极管的方法，可以防止发光二极管结构遭受破坏与裂损。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡性 发光二极管 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造发光二极管的方法，其特征在于，所述制造发光二极管的方法包含：在生长基板上磊晶成长至少一个发光二极管结构；在所述发光二极管结构上形成至少一个支撑层；通过粘着层，暂时性将所述支撑层与载体基板粘合，其中所述支撑层具有高于所述粘着层的杨氏系数；以及从所述发光二极管结构上移除所述生长基板。
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