[发明专利]一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法有效
| 申请号： | 201610298401.9 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN105870033B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 郭丽伟;甘弟;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法，所述检测方法包括如下步骤：步骤一：采用脉冲激光辐照所述半导体抛光晶片；步骤二：用显微镜观察经过脉冲激光辐照的半导体抛光晶片表面；其中，所述脉冲激光的总辐照能量密度介于第一损伤能量密度阈值和第二损伤能量密度阈值之间。本发明的检测方法速度快、成本低、对晶片损伤小、无污染，可广泛应用于对半导体抛光晶片产品的表面划痕的快速检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 抛光 晶片 表面 划痕 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体抛光晶片表面不可见划痕的检测方法，所述检测方法包括如下步骤：步骤一：采用脉冲激光辐照所述半导体抛光晶片；步骤二：用显微镜观察经过脉冲激光辐照的半导体抛光晶片表面；其中，所述脉冲激光的总辐照能量密度介于第一损伤能量密度阈值和第二损伤能量密度阈值之间，以及其中，当所述脉冲激光的总辐照能量密度低于所述第一损伤能量密度阈值时，所述不可见划痕处的原子不分解，导致所述不可见划痕无法被所述显微镜观察到；当所述脉冲激光的总辐照能量密度达到或超过所述第二损伤能量密度阈值时，所述半导体抛光晶片的受辐照区域呈现均匀的分解，导致无法通过所述显微镜识别所述半导体抛光晶片表面的不可见划痕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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