[发明专利]场发射器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610288516.X | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN107346720B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 赵德胜;黄宏娟;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种场发射器件，包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层，其中，所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质，可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度，而且，由于所述集电极采用的是金属材质，在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜，简化了工艺、降低了成本、提高了性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种场发射器件，其特征在于，包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层，其中，所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。
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