[发明专利]高压纳秒级上升沿MOSFET电子开关

摘要

本发明公开一种高压纳秒级上升沿MOSFET电子开关，包括：方波发生器、推挽电路、高压MOS管、加速网络单元、耦合变压器和功率管阵列，所述方波发生器与推挽电路的输入端连接，所述高压MOS管的栅极连接到推挽电路的输出端，所述高压MOS管的源极和漏极位于接地和加速网络单元之间，所述功率管阵列的正、负输出端用于连接外接负载；所述耦合变压器初级侧和次级侧分别具有一个初级线圈和至少2个次级线圈，所述加速网络单元与耦合变压器的初级线圈连接，耦合变压器的每个次级线圈均与对应的功率管支路连接。本发明获得令人满意的dvGS/dt性能，满足上升沿要求，而且驱动电压也被限制在器件手册允许的范围之内，从而大大提高了电子开关的长期使用寿命和可靠性。

主权项

 一种高压纳秒级上升沿MOSFET电子开关，其特征在于：包括：方波发生器（1）、推挽电路（2）、高压MOS管（3）、加速网络单元（4）、耦合变压器（5）和功率管阵列（6），所述方波发生器（1）与推挽电路（2）的输入端连接，所述高压MOS管（3）的栅极连接到推挽电路（2）的输出端，所述高压MOS管（3）的源极和漏极位于接地和加速网络单元（4）之间，所述功率管阵列（6）的正、负输出端用于连接外接负载；所述推挽电路（2）包括第一功率MOS管（21）、第二功率MOS管（22）和第三功率MOS管（23），第二功率MOS管（22）与第三功率MOS管（23）并联，第一功率MOS管（21）与第二功率MOS管（22）和第三功率MOS管（23）串联；所述加速网络单元（4）由并联的R_k电阻和C_k电容并联组成；所述耦合变压器（4）初级侧和次级侧分别具有一个初级线圈和至少2个次级线圈，所述功率管阵列（6）由至少2路功率管支路（61）并联组成，此功率管支路（61）由至少2个功率管（611）串联组成，所述加速网络单元（4）与耦合变压器（4）的初级线圈连接，耦合变压器（4）的每个次级线圈均与对应的功率管支路（61）连接。