[发明专利]外围电路、半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201610282549.3 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653078B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种电子设备，更具体地涉及一种外围电路、半导体存储器件以及该半导体存储器件和/或外围电路的操作方法。操作半导体存储器件的方法可以包括导通传输晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 外围 电路 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；耦合电路，包括耦接在全局线与局部线之间的传输晶体管，局部线耦接至所述多个存储单元；以及地址解码器，耦接至块字线和全局线，块字线耦接至传输晶体管的栅极，其中，在所述多个存储单元之中的包括在选中存储块中的存储单元的擦除操作期间，地址解码器将电压脉冲施加至耦接至未选中存储块的局部线以及浮置局部线。
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