[发明专利]一种沟槽肖特基二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610273653.6 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105762200B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高盼盼;代萌 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/41;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 王瑞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽肖特基二极管结构，包括阳极封装部和阴极封装部，且所述阴极封装部与所述阳极封装部处于同侧，本发明还公开了沟槽肖特基二极管结构的制备方法。本发明的沟槽肖特基二极管结构由于阴极封装部与所述阳极封装部处于同侧，使得肖特基二极管芯片可以适用于更多的封装形式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽肖特基二极管结构，其特征在于，包括阳极封装部和阴极封装部，且所述阴极封装部与所述阳极封装部处于同侧，所述阴极封装部包括一阴极通孔和边沿，且所述边沿设于所述阴极通孔的外围，且所述边沿及所述阴极通孔的底部和侧壁上均淀设有第一金属，所述第一金属上还淀设有第二金属。
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