[发明专利]一种沟槽肖特基二极管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽肖特基二极管结构，其特征在于，包括阳极封装部和阴极封装部，且所述阴极封装部与所述阳极封装部处于同侧，所述阴极封装部包括一阴极通孔和边沿，且所述边沿设于所述阴极通孔的外围，且所述边沿及所述阴极通孔的底部和侧壁上均淀设有第一金属，所述第一金属上还淀设有第二金属。

2.根据权利要求1所述的沟槽肖特基二极管结构，其特征在于，还包括一N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧设有一N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽及一终端环结构，所述阴极封装部设于终端环结构内部，或所述阴极封装部设于所述N型硅外延层上。

3.根据权利要求2所述的沟槽肖特基二极管结构，其特征在于，所述终端环结构包括设于所述N型硅外延层内的一第二沟槽及一第三沟槽，且所述第三沟槽的尺寸大于所述第一沟槽，且第二沟槽与所述第一沟槽的尺寸相同。

4.根据权利要求3所述的沟槽肖特基二极管结构，其特征在于，还包括一氧化物层，其淀积于所述第一沟槽内部、第二沟槽内部及第三沟槽内部。

5.根据权利要求4所述的沟槽肖特基二极管结构，其特征在于，还包括一多晶硅层，其淀积于所述的第一沟槽、第二沟槽及所述第三沟槽的侧壁及底部外围。

6.根据权利要求5所述的沟槽肖特基二极管结构，其特征在于，还包括一介质层，其淀积于所述第三沟槽底部的所述氧化物层上和所述第三沟槽内部的多晶硅层上。

7.根据权利要求6所述的沟槽肖特基二极管结构，其特征在于，还包括一第一金属层，其淀积于所述N型硅外延层的外侧及所述第三沟槽的介质层上，且所述第一金属层部分淀设于所述第三沟槽内部。

8.根据权利要求7所述的沟槽肖特基二极管结构，其特征在于，还包括一第二金属层，且所述第二金属层淀积于所述第一金属层的外侧。

9.一种沟槽肖特基二极管结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在N型硅基片上生长N型硅外延层；

在N型硅外延层刻蚀形成若干第一沟槽、一第二沟槽及一第三沟槽；

在N型硅外延层外侧生长一氧化物层；

在第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽内淀积多晶硅，多晶硅填满第一沟槽、第二沟槽且所述第三沟槽的槽壁淀积多晶硅；

在所述外延层的一侧淀积介质层；

在所述第三沟槽或所述第三沟槽的另一侧进行阴极通孔的刻蚀；

通过接触孔刻蚀将N型硅外延层表面和多晶硅表面的氧化物层和介质层去除，形成接触孔，使其可以与后续工艺的金属层接触；第三沟槽内的氧化物层保留，形成终端环结构；

淀积第一金属层，并进行退火，使其与外延层形成肖特基接触，与多晶硅接触形成欧姆接触，通孔底部与N型硅基片接触，形成欧姆接触；淀积第二金属层，并进行光刻，刻蚀掉芯片外围以及接触孔和通孔之间的第一金属层和第二金属层，形成阳极封装部和阴极封装部。