[发明专利]一种沟槽肖特基二极管结构及其制备方法

说明书

本发明公开了一种沟槽肖特基二极管结构，包括阳极封装部和阴极封装部，且所述阴极封装部与所述阳极封装部处于同侧，本发明还公开了沟槽肖特基二极管结构的制备方法。本发明的沟槽肖特基二极管结构由于阴极封装部与所述阳极封装部处于同侧，使得肖特基二极管芯片可以适用于更多的封装形式。

技术领域

本发明涉及一种二极管结构，更确切地说是一种沟槽肖特基二极管结构，本发明还涉及一种沟槽肖特基二极管结构的制备方法。

背景技术

随着封装技术的发展，电子行业中出现了多种新型的封装形式，这些封装形式对芯片的要求也发生了不同的变化，在某一些封装形式中，要求芯片的引出端必须都在芯片的表面，而传统肖特基二极管的阴极封装部是在芯片背面。因此，传统肖特基二极管无法满足某些封装要求，特别是目前应用广泛的多芯片封装(MCP)和芯片尺寸封装(CSP)。

发明内容

本发明的目的是提供一种沟槽肖特基二极管结构，其可以解决现有技术的阴极封装部是在芯片背面，无法满足在芯片正面打线接触的封装要求的缺点，本发明还提供了沟槽肖特基二极管结构的制备方法。

本发明采用以下技术方案：

一种沟槽肖特基二极管结构，包括阳极封装部和阴极封装部，且所述阴极封装部与所述阳极封装部处于同侧。

所述阴极封装部包括一阴极通孔和边沿，且所述边沿设于所述阴极通孔的外围，且所述边沿及所述阴极通孔的底部和侧壁上均淀设有第一金属，所述第一金属上还淀设有第二金属。

还包括一N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧设有一N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽及一终端环结构，所述阴极封装部设于终端环结构内部，或所述阴极封装部设于所述N型硅外延层上。

所述终端环结构包括设于所述N型硅外延层内的一第二沟槽及一第三沟槽，且所述第三沟槽的尺寸大于所述第一沟槽，且第二沟槽与所述第一沟槽的尺寸相同。

还包括一氧化物层，其淀积于所述第一沟槽内部、第二沟槽内部及第三沟槽内部。

还包括一多晶硅层，其淀积于所述的第一沟槽、第二沟槽及所述第三沟槽的侧壁及底部外围。

还包括一介质层，其淀积于所述第三沟槽底部的所述氧化物层上和所述第三沟槽内部的所述多晶硅层上。

还包括一第一金属层，其淀积于所述N型硅外延层的外侧及所述第三沟槽的介质层上，且所述第一金属层部分淀设于所述第三沟槽内部。

还包括一第二金属层，且所述第二金属层淀积于所述第一金属层的外侧。

一种沟槽肖特基二极管结构的制备方法，，包括以下步骤：

在N型硅基片上生长N型硅外延层；

在N型硅外延层刻蚀形成若干第一沟槽、一第二沟槽及一第三沟槽；

在N型硅外延层外侧生长一氧化物层；

在第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽内淀积多晶硅，多晶硅填满第一沟槽、第二沟槽且所述第三沟槽的槽壁淀积多晶硅；

在所述外延层的一侧淀积介质层；

在所述第三沟槽或所述第三沟槽的另一侧进行阴极通孔的刻蚀；

淀积第一金属层，并进行退火，使其与外延层形成肖特基接触，与多晶硅接触形成欧姆接触，通孔底部与N型硅基片接触，形成欧姆接触；淀积第二金属层，并进行光刻，刻蚀掉芯片外围以及接触孔和通孔之间的第一金属层和第二金属层，形成阳极封装部和阴极封装部。

本发明的优点是：实现沟槽工艺的肖特基二极管的阴极可以从器件正面引出，使得肖特基二极管芯片可以适用于更多的封装形式，如多芯片封装(MCP)、芯片尺寸封装(CSP)等。