[发明专利]整流器件、整流器件的制造方法及ESD保护器件有效
| 申请号： | 201610263857.1 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789332B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 姚飞;王世军;殷登平 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整流器件、整流器件的制造方法及ESD保护器件。所述整流器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的掺杂类型为P型；位于半导体衬底上的外延半导体层，所述外延半导体层的掺杂类型为N型；以及位于外延半导体层中的第一掺杂区，所述第一掺杂区为N型，其中，所述半导体衬底和所述外延半导体层分别作为所述整流器件的阳极和阴极，并且所述整流器件还包括在所述阴极中形成反向PN结或反向肖特基势垒。本发明在整流器件的阴极中形成反向偏置的PN结或反向肖特基势垒以减小二极管在高电压下的寄生电容，进而提高ESD保护器件在高电压下的响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 整流 器件 制造 方法 esd 保护 | ||
【主权项】：
1.一种整流器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的掺杂类型为P型；位于半导体衬底上的外延半导体层，所述外延半导体层的掺杂类型为N型；位于外延半导体层中的第一掺杂区，所述第一掺杂区为N型；第一电极，与所述外延半导体绝缘隔离且电连接至所述第一掺杂区；以及第二电极，电连接至所述半导体衬底，其中，所述半导体衬底和所述外延半导体层分别作为所述整流器件的阳极和阴极，并且所述整流器件还包括在所述阴极中形成且与所述第一电极电连接的反向PN结或反向肖特基势垒。
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