[发明专利]整流器件、整流器件的制造方法及ESD保护器件

权利要求书

1.一种整流器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底的掺杂类型为P型；

位于半导体衬底上的外延半导体层，所述外延半导体层的掺杂类型为N型；

位于外延半导体层中的第一掺杂区，所述第一掺杂区为N型；

第一电极，与所述外延半导体绝缘隔离且电连接至所述第一掺杂区；以及

第二电极，电连接至所述半导体衬底，

其中，所述半导体衬底和所述外延半导体层分别作为所述整流器件的阳极和阴极，并且所述整流器件还包括在所述阴极中形成且与所述第一电极电连接的反向PN结或反向肖特基势垒。

2.根据权利要求1所述的整流器件，其中，所述第一掺杂区相对于所述外延半导体层高掺杂。

3.根据权利要求1所述的整流器件，还包括第二掺杂区，所述第二掺杂区为P型，且与所述第一掺杂区形成所述反向PN结，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区彼此电连接。

4.根据权利要求3所述的整流器件，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别相邻的条带结构。

5.根据权利要求3所述的整流器件，其中，所述第一掺杂区为条带结构，所述第二掺杂区为围绕所述第一掺杂区的环状结构。

6.根据权利要求1所述的整流器件，还包括阳极金属，所述阳极金属与所述外延半导体层形成所述反向肖特基势垒，所述第一掺杂区与所述阳极金属彼此电连接。

7.根据权利要求6所述的整流器件，其中，所述第一掺杂区和所述阳极金属分别相邻的条带结构。

8.根据权利要求6所述的整流器件，其中，所述第一掺杂区为条带结构，所述阳极金属为围绕所述第一掺杂区的环状结构。

9.根据权利要求4、5、7和8中任一项所述的整流器件，其中，所述条带结构包括多个经由电极电连接的条带。

10.根据权利要求1所述的整流器件，还包括：

隔离结构，所述隔离结构从所述外延半导体层的表面延伸至所述半导体衬底中，以限定所述整流器件的有源区。

11.根据权利要求10所述的整流器件，其中，所述隔离结构为P型掺杂区或沟槽隔离。

12.一种ESD保护器件，包括：

根据权利要求1至11中任一项所述的整流器件；以及

齐纳二极管，

其中，所述整流器件的第一掺杂区连接至所述齐纳二极管的阴极。

13.根据权利要求12的ESD保护器件，其中，所述整流器件的半导体衬底连接至输入输出端，所述齐纳二极管的阳极连接至接地端。

14.一种整流器件的制造方法，包括：

在半导体衬底上形成外延半导体层，所述半导体衬底和所述外延半导体层的掺杂类型分别为P型和N型；

在所述外延半导体层中形成第一掺杂区，所述第一掺杂区为N型；

在所述半导体衬底中形成反向PN结或反向肖特基势垒层；

形成第一电极，与所述外延半导体绝缘隔离且电连接至所述第一掺杂区；以及

形成第二电极，电连接至所述半导体衬底，

其中，所述半导体衬底和所述外延半导体层分别作为所述整流器件的阳极和阴极，所述第一电极与所述反向PN结或反向肖特基势垒电连接。

15.根据权利要求14所述的方法，在形成所述外延半导体层的步骤之后，还包括：

形成隔离结构，所述隔离结构从所述外延半导体层的表面延伸至所述半导体衬底中，以限定所述整流器件的有源区。