[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。薄膜晶体管阵列面板包括：基板；薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极；半导体层；源极；以及漏极；绝缘层，绝缘层设置在栅极和基板上；蚀刻阻挡层，蚀刻阻挡层设置于半导体层及绝缘层上；电极层，电极层包括第一电极部和第二电极部，第一电极部设置于源极上，第一电极部用于对源极进行覆盖和保护，第二电极部设置于漏极上，第二电极部用于对漏极进行覆盖和保护；其中，半导体层设置于绝缘层上，蚀刻阻挡层设置有第一通孔和第二通孔，源极和漏极分别通过第一通孔和第二通孔与半导体层连接。本发明能简化薄膜晶体管阵列面板的制作工艺，节省制作成本。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极；半导体层；源极；以及漏极；绝缘层，所述绝缘层设置在所述栅极和所述基板上；蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层设置于所述半导体层及所述绝缘层上，所述蚀刻阻挡层用于保护所述半导体层；电极层，所述电极层包括第一电极部和第二电极部，所述第一电极部设置于所述源极上，所述第一电极部用于对所述源极进行覆盖和保护，所述第二电极部设置于所述漏极上，所述第二电极部用于对所述漏极进行覆盖和保护；其中，所述半导体层设置于所述绝缘层上，所述蚀刻阻挡层设置有第一通孔、第二通孔以及容置坑槽，所述源极和所述漏极分别通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述半导体层连接，以及所述容置坑槽容置所述源极的至少一部分、所述漏极的至少一部分和所述电极层的至少一部分，所述栅极是通过在所述基板上设置第一金属层，并对所述金属层实施第一光罩制程来形成的；所述半导体层是通过在所述绝缘层上设置半导体材料，并对所述半导体材料实施第二光罩制程来形成的；所述第一通孔和所述第二通孔是通过在所述绝缘层和所述半导体层上设置蚀刻阻挡材料，并对所述蚀刻阻挡材料实施第三光罩制程来形成的；所述源极、所述漏极和所述电极层是通过在所述蚀刻阻挡层上、所述第一通孔内、所述第二通孔内设置第二金属层，然后在所述第二金属层上设置第三金属层，并对所述第二金属层和所述第三金属层实施第四光罩制程来形成的，其中，所述源极和所述漏极均与所述第二金属层对应，所述电极层的所述第一电极部和所述第二电极部均与所述第三金属层对应。