[发明专利]降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法

摘要

一种降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，包括：步骤S1：提供具有二氧化硅薄膜的硅基衬底；步骤S2：对二氧化硅薄膜进行去耦合等离子体氮化处理，形成氮化物处理层；步骤S3：进行像素层光刻和离子注入，形成功能器件；步骤S4：对完成离子注入工艺之硅基衬底进行热处理；步骤S5：在制备栅氧化层前，去除氮化物处理层、二氧化硅薄膜和金属污染。本发明通过形成氮化物处理层，且其较现有技术之二氧化硅薄膜，对于金属离子的扩散系数更小，便可有效的阻挡离子注入中引入的金属污染，进而在栅氧化层制备前，去除氮化物处理层、二氧化硅薄膜，以及金属污染，降低CMOS图像传感器的白像素。

主权项

一种降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，包括：执行步骤S1：提供具有二氧化硅薄膜的硅基衬底；执行步骤S2：对所述硅基衬底之二氧化硅薄膜进行去耦合等离子体氮化处理，以在所述二氧化硅薄膜之异于所述硅基衬底的一侧形成氮化物处理层；执行步骤S3：进行像素层光刻和离子注入，以形成功能器件；执行步骤S4：对完成离子注入工艺之硅基衬底进行热处理，以激活注入杂质和修复注入损伤；执行步骤S5：在制备栅氧化层前，去除所述氮化物处理层和所述二氧化硅薄膜，以及离子注入引入的金属污染。