[发明专利]降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法在审
| 申请号： | 201610212618.3 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105742305A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王奇伟;陈昊瑜;范晓;田志 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 cmos 图像传感器 离子 注入 引入 金属 污染 方法 | ||
1.一种降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，包括：
执行步骤S1：提供具有二氧化硅薄膜的硅基衬底；
执行步骤S2：对所述硅基衬底之二氧化硅薄膜进行去耦合等离子体氮化处理，以在所述二氧化硅薄膜之异于所述硅基衬底的一侧形成氮化物处理层；
执行步骤S3：进行像素层光刻和离子注入，以形成功能器件；
执行步骤S4：对完成离子注入工艺之硅基衬底进行热处理，以激活注入杂质和修复注入损伤；
执行步骤S5：在制备栅氧化层前，去除所述氮化物处理层和所述二氧化硅薄膜，以及离子注入引入的金属污染。
2.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述硅基衬底之二氧化硅薄膜进行去耦合等离子体氮化处理，进一步包括：在所述硅基衬底之二氧化硅薄膜进行去耦合等离子体氮化处理后，进行温度为1000℃，时间为20s的热处理。
3.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，氮化物处理层为SiOxNy，0≤x＜2，
4.如权利要求3所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述氮化物处理层为Si3N4。
5.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述氮化物处理层的厚度为10～15埃。
6.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述硅基衬底之二氧化硅薄膜的厚度为60～80埃。
7.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述氮化物处理层和所述二氧化硅薄膜，以及离子注入引入的金属污染的去除方法为湿法刻蚀。
8.如权利要求1所述的降低CMOS图像传感器之离子注入引入金属污染的方法，其特征在于，所述功能器件为光电二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
