[发明专利]发光二极管的电极制备方法有效
| 申请号： | 201610199036.6 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105742449B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;韩彦军;李洪涛;王健 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 娜拉 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的电极制备方法，其包括以下步骤提供一半导体外延片，该半导体外延片包括欧姆接触层；在所述欧姆接触层的表面沉积一层氧化后可透明导电的金属薄膜，其中，沉积该金属薄膜时，所述半导体外延片的温度为室温；以及在含氧环境中对所述金属薄膜进行退火形成一透明导电且表面粗糙的电极层。本发明提供的发光二极管的电极制备方法，在室温下沉积金属薄膜，不仅节约能源，而且沉积金属薄膜时设备的真空度容易维持，有利于图形电极的制备，从而降低了制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的电极制备方法，其包括以下步骤：提供一半导体外延片，该半导体外延片包括欧姆接触层；对该欧姆接触层的表面进行粗糙化，得到一粗糙表面；在所述欧姆接触层的粗糙表面沉积一层氧化后可透明导电的金属薄膜，其中，沉积该金属薄膜时，所述半导体外延片的温度为室温；以及在含氧环境中对所述金属薄膜进行退火形成一表面粗糙的金属氧化物透明电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610199036.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能现浇板模板构件
- 下一篇：回油油流监视器
