[发明专利]一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管

摘要

该发明公开了一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路领域中逻辑器件与电路领域。利用N型漏区或者P型源区与N型外延层之间的短接，共享高电位，从而使得N型埋层与N型源区或者P型漏区、本征区、P型衬底形成的PN结均为反偏，结果是降低原先器件源区下部由漏极电压控制的隧穿，此时的泄漏电流主要为N型外延层与N型源区或者P型漏区的反偏PN结电流，从而有效降低了小尺寸情况下隧穿场效应晶体管关态电流，此外，埋层可换成宽禁带材料，且避免该材料与硅接触引入二维电子气或极化电荷，则将会进一步降低反偏PN结电流。从而对漏极控制源区向本征区上隧穿进行抑制，以降低TFET的关态电流。

主权项

1.一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，该晶体管包括：高阻的P型衬底(1)、沟槽隔离结构(2)、N型埋层(3)、漏区(4)、本征区(5)、源区(6)、电极隔离结构(7)、薄外延本征区(8)、栅氧化层(9)、漏电极(10)、栅电极(11)、源电极(12)；所述高阻的P型衬底(1)上表面中间位置设置N型埋层(3)；N型埋层(3)上表面依次分段覆盖漏区(4)、本征区(5)、源区(6)，所述漏区(4)的厚度大于本征区(5)的厚度，本征区(5)和源区(6)厚度相同；所述薄外延本征区(8)设置于本征区(5)上表面，并覆盖部分源区(6)；所述薄外延本征区(8)覆盖在源区(6)上的部分对应的上表面设置有栅氧化层(9)；所述漏区(4)上表面引出漏电极(10)，栅氧化层(9)上表面引出栅电极(11)，所述源区(6)上表面引出源电极(12)；所述高阻的P型衬底(1)以上的功能区采用沟槽隔离结构(2)与其他器件进行隔离；各电极之间采用电极隔离结构(7)进行隔离。