[发明专利]一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管

权利要求书

1.一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，该晶体管包括：高阻的P型衬底(1)、沟槽隔离结构(2)、N型埋层(3)、漏区(4)、本征区(5)、源区(6)、电极隔离结构(7)、薄外延本征区(8)、栅氧化层(9)、漏电极(10)、栅电极(11)、源电极(12)；所述高阻的P型衬底(1)上表面中间位置设置N型埋层(3)；N型埋层(3)上表面依次分段覆盖漏区(4)、本征区(5)、源区(6)，所述漏区(4)的厚度大于本征区(5)的厚度，本征区(5)和源区(6)厚度相同；所述薄外延本征区(8)设置于本征区(5)上表面，并覆盖部分源区(6)；所述薄外延本征区(8)覆盖在源区(6)上的部分对应的上表面设置有栅氧化层(9)；所述漏区(4)上表面引出漏电极(10)，栅氧化层(9)上表面引出栅电极(11)，所述源区(6)上表面引出源电极(12)；所述高阻的P型衬底(1)以上的功能区采用沟槽隔离结构(2)与其他器件进行隔离；各电极之间采用电极隔离结构(7)进行隔离。

2.如权利要求1所述的一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于所述隧穿场效应晶体管，对于N型隧穿场效应晶体管，源区为P型重掺杂，漏区为N型掺杂，本征区为P型轻掺杂；对于P型隧穿场效应晶体管，源区为N型重掺杂，漏区为P型掺杂，本征区为N型轻掺杂。

3.如权利要求1所述的一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于所述薄外延本征区(8)厚度不超过5nm；所述N型埋层(3)的厚度不小于200nm。

4.如权利要求1所述的一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于所述N型埋层为N型轻掺杂埋层，所述P型衬底为P型轻掺杂衬底。

5.如权利要求4所述的一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于所述N型轻掺杂埋层与P型轻掺杂衬底的掺杂浓度为10¹⁵cm^-3。

6.一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，该晶体管包括：高阻的P型衬底(1)、沟槽隔离结构(2)、N型埋层(3)、漏区(4)、本征区(5)、源区(6)、电极隔离结构(7)、薄外延本征区(8)、栅氧化层(9)、漏电极(10)、栅电极(11)、源电极(12)、N型埋层金属电极(14)、N型埋层引出阱(15)；所述高阻的P型衬底(1)上表面中间位置分别设置N型埋层引出阱(15)和N型埋层(3)，N型埋层引出阱(15)上设置N型埋层金属电极(14)；N型埋层(3)上表面分段设置本征区(5)、源区(6)、电极隔离结构，该电极隔离结构将源区(6)与N型埋层引出阱(15)进行隔离；所述本征区(5)包括厚度不同的 两段，厚度较小的一段上设置漏区(4)；所述薄外延本征区(8)设置于本征区(5)较厚一段的上表面，并覆盖部分源区(6)；所述薄外延本征区(8)覆盖在源区(6)上的部分对应的上表面设置有栅氧化层(9)；所述漏区(4)上表面引出漏电极(10)，栅氧化层(9)上表面引出栅电极(11)，所述源区(6)上表面引出源电极(12)；所述高阻的P型衬底(1)以上的功能区采用沟槽隔离结构(2)与其他器件进行隔离；各电极之间采用电极隔离结构(7)进行隔离。

7.如权利要求6所述的一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于所述隧穿场效应晶体管，对于N型隧穿场效应晶体管，源区为P型重掺杂，漏区为N型掺杂，本征区为P型轻掺杂；对于P型隧穿场效应晶体管，源区为N型重掺杂，漏区为P型掺杂，本征区为N型轻掺杂。

8.如权利要求6所述的一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于所述薄外延本征区(8)厚度不超过5nm；所述N型埋层(3)的厚度不小于200nm。

9.如权利要求6所述的一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于所述N型埋层为N型轻掺杂埋层，所述P型衬底为P型轻掺杂衬底。

10.如权利要求9所述的一种抑制关态电流的隧穿场效应晶体管，其特征在于所述N型轻掺杂埋层与P型轻掺杂衬底的掺杂浓度为10¹⁵cm^-3。