[发明专利]半导体晶片和制造方法有效
| 申请号： | 201610188505.4 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN106024855B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔策;H·奥弗纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了半导体晶片和制造方法。半导体晶片包括：第一主表面和第二主表面，沿着竖直方向彼此相反；以及侧表面，环绕半导体晶片。在侧表面和半导体晶片的中心之间的垂直于竖直方向的横向距离包括第一部分和第二部分。第一部分从侧表面延伸到第二部分，并且第二部分从第一部分延伸到中心。第一部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度大于5x 1014cm‑3并且超过第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度(第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度的)多于20％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，包括：第一主表面和第二主表面，沿着竖直方向彼此相反；侧表面，环绕所述半导体晶片；以及在所述侧表面和所述半导体晶片的中心之间的垂直于所述竖直方向的横向距离包括第一部分和第二部分，所述第一部分从所述侧表面延伸到所述第二部分，并且所述第二部分从所述第一部分延伸到所述中心，并且其中所述第一部分中的氮的平均浓度大于5x1014原子/cm3，并且超过所述第二部分中的氮的平均浓度的量多于所述第二部分中的所述平均浓度的20％。
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