[发明专利]一种具有防电流倒灌的P型金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开了一种具有防电流倒灌的P型金属氧化物半导体场效应管的芯片结构，由于单个PMOSFET的漏极D到基源BS的寄生体二极管会由于漏源电压的变化导致漏电，本发明芯片工艺将两个PMOSFET串联，并设置各自的寄生二极管反向，利用二极管的单向导通性，就可以解决电位反转带来的寄生二极管漏电问题。工艺采用同一个P型衬底中设置两个N型阱，每个N型阱上面扩散两个高掺杂的P型区P+，另外在N型阱上面还扩散一个高掺杂的N型区N+，N阱电位悬浮，和源极连接。

主权项

一种具有防电流倒灌的P型金属氧化物半导体场效应管，P型金属氧化物半导体场效应管的结构为：以P型硅片作为衬底，在P型衬底中扩散一个N型阱作为基底B，在N型阱上面扩散两个高掺杂的P型区P+，分别作为源极S和漏极D，另外在N型阱上面还扩散一个高掺杂的N型区N+，作为N型阱的欧姆接触，用于对N型阱的引线，在P型硅片表面覆盖一层绝缘层，在绝缘层上面长出一层多晶硅层，从多晶硅层用金属铝引出一个栅极G，栅极G与漏极D以及源极S绝缘，其中，漏极D与N型阱之间，即漏极D与基底B之间产生一个寄生体二极管，该寄生体二极管的正端在漏极D，二极管的负端通过基底B区域引出后用金属铝连接至源极S，即基底B和源极S短路在一起，电位相同，称之为：基源BS电位；其特征在于：将上述两个相同结构的P型金属氧化物半导体场效应管串联，并将各自的寄生体二极管互为反向设置，即两个寄生体二极管的正端连接在一起，利用二极管的单向导通性，解决因P型金属氧化物半导体场效应管的漏极D电位和基源BS电位在出现电位高低反转时导致寄生体二极管漏电而产生的电流倒灌；具体结构如下：在同一个P型衬底中扩散两个N型阱分别作为两个P型金属氧化物半导体场效应管P1、P2的基底B1、B2，P型金属氧化物半导体场效应管P1的源极为S1、漏极为D1，栅极为G1，P型金属氧化物半导体场效应管P2的源极为S2、漏极为D2，栅极为G2，P型金属氧化物半导体场效应管P1的栅极G1与P型金属氧化物半导体场效应管P2的栅极G2通过铝线连接在一起作为栅极控制端GT，P型金属氧化物半导体场效应管P1的漏极D1与P型金属氧化物半导体场效应管P2的漏极D2通过铝线连接在一起，P型金属氧化物半导体场效应管P1的源极S1和基底B1通过铝线连接在一起，作为接口IO1，P型金属氧化物半导体场效应管P2的源极S2和基底B2通过铝线连接在一起，作为接口IO2，P型金属氧化物半导体场效应管P1的寄生体二极管d1的正端在漏极D1，寄生体二极管d1的负端在基底B1，P型金属氧化物半导体场效应管P2的寄生体二极管d2的正端在漏极D2，寄生体二极管d2的负端在基底B2。