[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201610178227.4 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107230710A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 陶敏,刘芳 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法，通过在氮化镓外延片的表面沉淀介质层；依次制备晶体管的欧姆接触电极和栅极；在晶体管的表面上沉积绝缘层；刻蚀绝缘层形成栅场板孔，淀积形成与栅极相连的栅场板。从而通过介质层有效地从栅极的表面传输和提取电通量，起到了降低晶体管表面电场的效果，还通过设置与栅极相连的栅场板，实现对电流崩塌的抑制作用，改善了晶体管器件的击穿特性，解决现有技术中由于绝缘层容易被提前击穿从而使得晶体管器件失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在氮化镓外延片的表面沉淀介质层；依次制备晶体管的欧姆接触电极，栅极；在晶体管的表面上沉积绝缘层；刻蚀所述绝缘层形成栅场板孔，淀积形成与所述栅极相连的栅场板。
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