[发明专利]一种稀土离子掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法在审
| 申请号： | 201610171162.0 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN106283189A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 汤庆阳;夏海平;何仕楠;盛启国 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稀土离子掺杂Na5Lu9F32单晶体及其生长方法。在Na5Lu9F32单晶体中掺入Ce3+、Eu3+或Tb3+离子。该晶体的密度大(5.85g/cm3)、最大声子能量低(440cm‑1)、发光效率高、物化性能稳定，该单晶体是一种优秀的闪烁材料。用加热温场上移法进行晶体生长具有设备简单、实用性强等特点，该技术可克服由于机械传动对晶体所带来的色带、生长条纹等缺陷，有利于获得优质单晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 离子 掺杂 na5lu9f32 单晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种稀土离子掺杂Na5Lu9F32单晶体，其特征在于该稀土离子掺杂Na5Lu9F32单晶体的化学分子式为Na5Lu(9‑x)LnxF32，其中0.072≤x≤0.270，稀土离子Ln3+为Ce3+、Eu3+、Tb3+中的一种。
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