[发明专利]一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器在审
| 申请号: | 201610163375.9 | 申请日: | 2016-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN105632981A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
| 发明(设计)人: | 陈宜方;徐晨;陆冰睿 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
| 地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明属于微电子器件表面处理技术领域,具体为一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器。本发明仪器的核心为两部分:高功率的热源和恒温平台。高功率热源将样品表面温度迅速提升,另一侧被恒温平台控制在室温,由于样品衬底位导热率极其高的硅片,温度梯度主要集中在几百纳米到几微米的光刻胶内,从而形成一个很大的温度梯度,使只有样品表面很薄的一层超过玻璃化温度,这一部分发生融化、回流现象,减小了粗糙度,而样品整体形貌则并没有发生改变。该仪器简便、有效,兼容性好,适用度广,对于在某一特定温度能够熔融的几乎所有材料都有很好的效果。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 利用 热处理 减小 微电子 器件 表面 粗糙 仪器 | ||
【主权项】:
一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器,其特征在于,包括:(1)强热源;(2)恒温平台;(3)调节轨道;所述调节轨道用于支撑强热源,并调节强热源位置;恒温平台在强热源下方;所述强热源,用于将微电子器件样品表面的光刻胶在极短时间内升温至样品玻璃化温度以上;所述恒温平台,用以确保在样品表面光刻胶达到玻璃化温度的同时,使样品整体的温度仍然保持在较低的水平,从而实现整体形貌不改变的同时减小表面粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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