[发明专利]平坦化层去残留的方法

摘要

本发明提供一种平坦化层去残留的方法，利用氧气和六氟化硫的混合气体作为制程气体对平坦化层进行干法刻蚀去残留处理，其中，氧气在等离子状态下与平坦化层过孔内残留的有机光阻屑反应使其消除，六氟化硫在等离子状态下与金属层上由氧化反应而产生的钛氧化物发生反应使其消除，从而使干法刻蚀去残留处理后，金属层上不存在钛氧化物层，与现有技术相比，制程气体中加入六氟化硫，不仅能够提升去残留制程的反应速率，并且还能够去除顶部钛层表面经氧化形成的钛氧化物，从而在清除了残留的有机光阻屑的同时，使后续形成的电极层与顶部钛层通过过孔搭接后不产生过高的阻抗，避免产生暗点等不良现象，提升液晶显示面板的品质。

主权项

1.一种平坦化层去残留的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一待平坦化层去残留的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板，包括：基板、形成于基板上的低温多晶硅薄膜晶体管、及覆盖所述低温多晶硅薄膜晶体管的平坦化层(30)；所述低温多晶硅薄膜晶体管包括中间绝缘层(10)、及设置在中间绝缘层(10)上的金属层(20)；所述金属层(20)包括：底部钛层(21)、设置在所述底部钛层(21)上的铝层(22)、及设置在所述铝层(22)上的顶部钛层(23)；所述平坦化层(30)设置在所述中间绝缘层(10)和金属层(20)上；所述平坦化层(30)为有机光阻材料，其上设有过孔(40)；所述过孔(40)中残留有待去除的有机光阻屑；步骤2、以氧气和六氟化硫作为制程气体，利用氧气等离子和六氟化硫等离子对平坦化层(30)的表面进行干法刻蚀去残留处理；具体的，在干法刻蚀去残留处理过程中，氧气在等离子状态下与过孔(40)内残留的有机光阻屑发生反应，使过孔(40)内残留的有机光阻屑被完全反应掉；所述氧气在与过孔(40)内的有机光阻屑反应的同时与顶部钛层(23)发生氧化反应，产生钛氧化物；所述六氟化硫在等离子状态下与顶部钛层(23)上的钛氧化物发生反应，使钛氧化物被完全反应掉，其中钛氧化物作为中间产物，在干法刻蚀去残留处理后，所述金属层(23)上不存在钛氧化物层；步骤3、将步骤2中形成的反应产物从所述低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板上去除。