[发明专利]减少激光退火的脉冲激光束轮廓的非均匀性的系统及方法在审
申请号: | 201610156288.0 | 申请日: | 2016-03-18 |
公开(公告)号: | CN105990195A | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 王耘 | 申请(专利权)人: | 超科技公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/268 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是公开减少激光退火的脉冲激光束轮廓的非均匀性的系统及方法。所述的方法包含沿光轴定向初始脉冲式激光束,及对每个光脉冲施加相对于所述的光轴的随时间变化的角度偏转量。如此形成新激光束,其中每个光脉冲在空间偏转量δ上可被抹平,此空间偏转量δ足够减少激光束的微观尺度强度变化。此新激光束被用以形成线图像,和使用初始激光束所形成的线图像相比,新激光束所形成的线图像具有较佳的强度均匀性。 | ||
搜索关键词: | 减少 激光 退火 脉冲 激光束 轮廓 均匀 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种当形成线图像时减少微观尺度强度变化的方法,所述线图像用以执行半导体基板的激光退火,所述方法包含:a)沿光轴定向激光束,其中所述激光束具有波长λ且包含光脉冲,所述光脉冲具有在10ns至10μs的范围中的时间脉冲长度τ;b)向每个光脉冲施加相对于所述光轴的变化的角度偏转,以使每个光脉冲在空间偏转量δ上被抹平,相比于无角度偏转,所述空间偏转量δ足够以至少1.5X均方根(RMS)的因子来减少所述激光束中的所述微观尺度强度变化,且其中δ≤100μm;且c)使用形成于动作b)中的所述激光束以形成所述线图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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