[发明专利]打断共轭型聚合物半导体材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201610151565.9 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105622901A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 解令海;黄维;刘正东;胡辉;包岩;仪明东 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;C07D519/00;H01L51/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 李纪昌;曹翠珍 |
| 地址： | 210023 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一类打断共轭型聚合物半导体材料及其制备方法和应用，该半导体材料的结构以环戊并二噻吩为骨架，具有选自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化学式的结构： |
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| 搜索关键词： | 打断 共轭 聚合物 半导体材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
打断共轭型聚合物半导体材料，其特征在于，该半导体材料的结构以环戊并二噻吩为骨架，具有选自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化学式的结构：![]()
其中：所述R为氢、C1～12烷基或C1～12烷氧基；所述n代表聚合物的重复单元个数，为3～100的自然数；所述Ar、Ar1、Ar2相同或不同，各自独立地代表共轭芳环单元。
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