[发明专利]提高动态雪崩抗性的功率二极管在审
| 申请号： | 201610147403.8 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105655411A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张须坤;沈千行;卢烁今;朱阳军 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高动态雪崩抗性的功率二极管，其包括半导体基板以及位于所述半导体基板内的第一导电类型基区；在半导体基板的背面设置用于形成阴极的阴极区，在所述半导体基板的正面设置用于形成阳极的阳极区；在所述阳极区与第一导电类型基区间设置若干第一导电类型柱与第二导电类型柱交替分布的超结结构，所述超结结构内的第一导电类型柱的掺杂浓度与超结结构内的第二导电类型柱的掺杂浓度相同，且超结结构内第一导电类型柱的掺杂浓度高于第一导电类型基区的掺杂浓度。本发明结构紧凑，能有效提高动态雪崩抗性，提高静态击穿电压，改善功率二极管的性能，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 动态 雪崩 抗性 功率 二极管 | ||
【主权项】：
一种提高动态雪崩抗性的功率二极管，包括半导体基板以及位于所述半导体基板内的第一导电类型基区；在半导体基板的背面设置用于形成阴极的阴极区，在所述半导体基板的正面设置用于形成阳极的阳极区；其特征是：在所述阳极区与第一导电类型基区间设置若干第一导电类型柱与第二导电类型柱交替分布的超结结构，所述超结结构内的第一导电类型柱的掺杂浓度与超结结构内的第二导电类型柱的掺杂浓度相同，且超结结构内第一导电类型柱的掺杂浓度高于第一导电类型基区的掺杂浓度。
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