[发明专利]半导体发光装置有效
| 申请号： | 201610140817.8 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106410020B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 牛山直矢;小串昌弘;田村一博;江越秀德;黑木敏宏 | 申请（专利权）人： | 阿尔发得株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种使光的提取效率提高的半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置包含：半导体发光芯片，包含半导体层；透明膜，设置在所述半导体层上；及荧光体树脂层，设置在所述透明膜上且包含树脂与荧光体。所述透明膜的折射率比所述半导体层的折射率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，其特征在于具备：半导体发光芯片，包含半导体层，在上表面的四角落设置有阴极电极及阳极电极；透明膜，在所述半导体层上，设置于所述四角落以外；荧光体树脂层，设置在所述透明膜上且包含树脂与荧光体；第1电极，载置所述半导体发光芯片；第2电极，在与从所述第1电极朝向所述透明膜的第1方向正交的方向上与所述第1电极隔离；以及反射层；并且所述反射层与所述半导体发光芯片的侧面相接地设置；所述透明膜的折射率比所述半导体层的折射率高。
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