[发明专利]用于多频率RF脉冲的频率增强阻抗依赖的功率控制

摘要

一种用于在使用多个RF功率供应器的等离子体处理室中处理衬底的方法。所述方法包括在第一脉冲频率对第一RF功率供应器施以脉冲以在高功率状态和低功率状态之间传递第一RF信号。所述方法进一步包括响应于可测量室参数的值在第一预定义RF频率和第二RF频率之间转换由第二RF功率供应器输出的第二RF信号的RF频率。第一RF频率和第二RF频率以及用于转换的阈值在学习阶段预先习得，同时第一RF信号在低于第一RF频率的第二RF频率在高功率状态和低功率状态之间脉冲且同时第二RF功率供应器以不同的模式运行。

主权项

用于处理衬底的包括处理室的等离子体处理系统，所述处理室耦合于多个RF功率供应器以在所述处理室内维持等离子体，所述系统包括：所述多个RF功率供应器中的第一RF功率供应器，配置为在高功率状态和低功率状态之间传递第一RF信号到所述处理室，其中所述第一RF信号具有第一频率；所述多个RF功率供应器中的第二RF功率供应器，配置为固定频率模式从而所述第二RF功率供应器不被允许自调谐由所述第二RF功率供应器输出到所述处理室的第二RF信号的频率，其中所述第二RF信号以第一固定RF频率值和第二固定RF频率值运行，其中在学习阶段，当所述第一RF信号分别在所述高功率状态和所述低功率状态时，所述第一固定RF频率值和所述第二固定RF频率值被较早习得。