[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供能够抑制导通电压上升的半导体装置。半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、栅极电极及第1电极。第3半导体区域设于第1绝缘层与栅极绝缘层之间的一部分，与第1绝缘层相接，第2导电型的载流子浓度高于第2半导体区域。第4半导体区域具有第1部分。第1部分在从第1半导体区域朝向第2半导体区域的第1方向与第3半导体区域并排。第5半导体区域与栅极绝缘层相接。第5半导体区域在相对于第1方向垂直的第2方向与第1部分并排。

主权项

一种半导体装置，其特征在于具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，设于所述第1半导体区域之上；栅极电极，具有隔着栅极绝缘层而被所述第2半导体区域包围的部分；第1电极，具有隔着第1绝缘层而被所述第2半导体区域包围的部分，且与所述栅极电极相隔而设；第2导电型的第3半导体区域，设于所述第1绝缘层与所述栅极绝缘层之间的一部分，与所述第1绝缘层相接，且第2导电型的载流子浓度高于所述第2半导体区域的第2导电型的载流子浓度；第1导电型的第4半导体区域，在从所述第1半导体区域朝所述第2半导体区域的第1方向上具有与所述第3半导体区域并排的第1部分，设于所述第2半导体区域之上及所述第3半导体区域之上，且位于所述栅极电极与所述第1电极之间；以及第2导电型的第5半导体区域，选择性地设于所述第4半导体区域之上，与所述栅极绝缘层相接，且在相对于所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1部分并排。