[发明专利]一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法有效

专利信息
申请号: 201610133598.0 申请日: 2016-03-09
公开(公告)号: CN105624625B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 李兴鳌;张巧霞;赵杨华;贾振宏;张杰;秦正飞;楚亮 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 王月霞
地址: 210023 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法,在制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜过程中,当磁控溅射中间层金属Ag层时,在溅射气体氩气中通入的适量的氧气作为反应气体,所述氧气与氩气的体积比为1:100~3:100;利用氧气对Ag纳米颗粒生长过程中的诱导作用,使得生长在底层ZnO薄膜上的Ag纳米颗粒变得井然有序,有效的改善了Ag层的形貌。实现提高ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜透光性和导电性的目的。本发明采用室温下磁控溅射方法制备ZnO/Ag/ZnO透明导电多层膜具有较好的透光性、导电性和稳定性,可以有效的取代ITO用做有机发光二极管或太阳能电池透明电极。
搜索关键词: 透明导电 多层膜 氧气 导电性 透明导电膜 氩气 磁控溅射 光电性能 透光性 制备 有机发光二极管 形貌 中间层金属 太阳能电池 反应气体 溅射气体 生长过程 透明电极 诱导作用 体积比 生长
【主权项】:
1.一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法,其特征在于,ZnO/Ag/ZnO透明导电膜采用室温磁控溅射的方法制备得到,中间Ag层是采用直流磁控溅射的方法制备,在溅射中间Ag层时,在溅射气体氩气中通入氧气作为反应气体;所述氩气的纯度不低于99.0%,所述氧气的纯度不低于99.0%;所述氧气与氩气的体积比为1:100~2:100。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610133598.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top