[发明专利]一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法有效
| 申请号： | 201610133598.0 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105624625B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李兴鳌;张巧霞;赵杨华;贾振宏;张杰;秦正飞;楚亮 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 王月霞 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电 多层膜 氧气 导电性 透明导电膜 氩气 磁控溅射 光电性能 透光性 制备 有机发光二极管 形貌 中间层金属 太阳能电池 反应气体 溅射气体 生长过程 透明电极 诱导作用 体积比 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，其特征在于，ZnO/Ag/ZnO透明导电膜采用室温磁控溅射的方法制备得到，中间Ag层是采用直流磁控溅射的方法制备，在溅射中间Ag层时，在溅射气体氩气中通入氧气作为反应气体；所述氩气的纯度不低于99.0%，所述氧气的纯度不低于99.0%；所述氧气与氩气的体积比为1:100~2:100。
2.根据权利要求1所述的提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，其特征在于，底层和顶层的ZnO薄膜是采用射频磁控溅射方法制备的。
3.根据权利要求1所述的提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，其特征在于，所述的ZnO/Ag/ZnO透明导电膜按如下顺序制备：首先在基底上溅射底层ZnO，接着在底层ZnO上沉积Ag，最后在Ag层上沉积相同厚度的顶层ZnO。
4.根据权利要求1所述的提高ZnO/Ag/ZnO透明导电膜光电性能的方法，其特征在于，所述氧气与氩气的体积比为2:100。
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