[发明专利]半导体组件

摘要

本发明提供一种半导体组件，包含一基板、一初始层以及一超晶格堆栈。初始层设置于基板之上，且包含氮化铝。超晶格堆栈设置于初始层之上，且包含多个第一膜层以及多个第二膜层，第一膜层与第二膜层交错地堆栈在初始层之上，其中第一膜层及第二膜层之一为一掺杂层，该第一膜层及该第二膜层的另一个实质上不含掺质，掺杂层的掺质选自由碳、铁及其组合所组成的群组。本发明不仅提升半导体组件的崩溃电压，且一并兼顾半导体组件的整体翘曲，避免在完成磊晶制程后的冷却过程，制造半导体组件的晶圆因过度翘曲而破裂。

主权项

1.一种半导体组件，其特征在于，包括：一基板；一初始层，设置于所述基板之上，所述初始层包含氮化铝；以及一超晶格堆栈，设置于所述初始层之上，所述超晶格堆栈包含多个第一膜层以及多个第二膜层，所述多个第一膜层与所述多个第二膜层交错地堆栈在所述初始层之上，其中所述第一膜层及所述第二膜层的至少一个为包含掺质的一掺杂层，所述第一膜层及所述第二膜层的另一个实质上不含掺质，所述掺杂层的掺质为选自由碳、铁及其组合所组成的群组，所述掺质的浓度在所述超晶格堆栈中呈非连续性变化，一缓冲堆栈，设置于所述超晶格堆栈与所述初始层之间，所述缓冲堆栈包含多个基层及至少一掺杂层，所述至少一掺杂层设置于相邻二层基层之间，所述掺杂层的掺质的浓度在所述缓冲堆栈中呈非连续性变化。