[发明专利]一种利用臭氧清洗基片的方法及装置在审
| 申请号： | 201610120924.4 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107154339A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 陈波;夏洋;李楠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种利用臭氧清洗基片的方法。所述方法包括如下步骤转动反应腔中夹持基片的载片台；向所述反应腔中喷射CO2水溶液，在所述基片表面形成水膜；封闭所述反应腔后，向所述反应腔中喷入臭氧，所述臭氧进入所述基片表面的水膜，形成臭氧水溶液或扩散至所述基片表面对污染物进行氧化清洗。本发明还提供一种利用臭氧清洗基片的装置。本发明向反应腔中喷射含有CO2的液体溶液，同时也将臭氧引入反应腔，臭氧氧化基片表面的污染物和有机涂层，而CO2则保护基片表面的金属不受腐蚀。本发明既可以发挥臭氧清洗硅片的优点，同时避免金属的腐蚀。而且臭氧与CO2价格便宜、容易得到，保持了经济性与环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 臭氧 清洗 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种利用臭氧清洗基片的方法，其特征在于，包括如下步骤：转动反应腔中夹持基片的载片台；向所述反应腔中喷射CO2水溶液，在所述基片表面形成水膜；封闭所述反应腔后，向所述反应腔中喷入臭氧，所述臭氧进入所述基片表面的水膜，形成臭氧水溶液或扩散至所述基片表面对污染物进行氧化清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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