[发明专利]互补型薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开一种互补型薄膜晶体管及其制造方法，所述互补型薄膜晶体管包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层、一第一钝化层、一第一电极金属层及一第二电极金属层，所述N型半导体层设置在所述基板上方，所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；所述P型半导体层设置在所述N型半导体层上方，所述P型半导体层包含一有机半导体材料；所述第一钝化层设置在所述N型半导体层及所述P型半导体层之间，且形成有至少一接触过孔；所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接。

主权项

1.一种互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管包含：一基板；一N型半导体层，设置在所述基板上方，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；一P型半导体层，设置在所述N型半导体层上方，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；一第一钝化层，设置在所述N型半导体层及所述P型半导体层之间，且形成有至少一接触过孔；一第一电极金属层，形成在所述N型半导体层上；及一第二电极金属层，形成在所述第一钝化层上，所述第一电极金属层及第二电极金属层通过所述接触过孔电性连接；一第一栅极层，形成在所述基板上；一绝缘层，形成在所述第一栅极层及所述基板上，其中所述N型半导体层形成在所述绝缘层上；一第二钝化层，形成在所述第二电极金属层、所述第一钝化层及所述P型半导体层上；及一第二栅极层，形成在所述第二钝化层上。