[发明专利]互补型薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开一种互补型薄膜晶体管及其制造方法，所述互补型薄膜晶体管包含包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层及一刻蚀阻挡层；所述基板定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区，所述N型半导体层设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，所述N型半导体层包含一金属氧化物材料，所述P型半导体层设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，所述P型半导体层包含一有机半导体材料，所述刻蚀阻挡层形成在所述N型半导体层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，且所述P型半导体层形成在所述刻蚀阻挡层上。

主权项

1.一种互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管包含：一基板，定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区；一N型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；一P型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；一刻蚀阻挡层，形成在所述N型半导体层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，且所述P型半导体层形成在所述刻蚀阻挡层上；及一电极金属层，形成在位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，其中所述电极金属层形成在所述N型半导体层上，所述P型半导体层形成在所述电极金属层上，所述电极金属层通过所述刻蚀阻挡层的至少一通孔而与所述N型半导体层接触。