[发明专利]高注入沟道半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种用于制造包括上部沟道注入晶体管的半导体器件的方法。方法包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍。一个或多个鳍包括沿着第一方向的第一区域和在第一区域的两侧上沿着第一方向的第二区域。掺杂剂浅注入鳍的第一区域的上部中而不注入第二区域中并且不注入鳍的第一区域的下部中。在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极结构形成在鳍的第一区域上方，并且源极/漏极形成在鳍的第二区域上方，从而形成上部沟道注入晶体管。本发明实施例涉及高注入沟道半导体器件及其制造方法。

主权项

一种用于制造包括上部沟道注入沟道晶体管的半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍，其中，所述一个或多个鳍包括沿着所述第一方向的第一区域和位于所述第一区域的两侧上的沿着所述第一方向的第二区域，在所述鳍的所述第一区域的上部中而不在所述第二区域中以及不在所述鳍的所述第一区域的下部中执行掺杂剂的浅注入；在所述鳍的所述第一区域上面形成在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的栅极结构；以及在所述鳍的所述第二区域上形成源极/漏极，从而形成上部沟道注入沟道晶体管。