[发明专利]改善光阻不均的薄膜晶体管电路结构及方法在审
申请号: | 201610104052.2 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN107134431A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 彭剑英 | 申请(专利权)人: | 凌巨科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1333;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人: | 寿宁,张华辉 |
地址: | 中国台湾苗栗*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明是关于一种改善光阻不均的薄膜晶体管电路结构及方法,其于覆盖有第一电路线的绝缘层的一表面制作为具有平坦的特征,使绝缘层的表面不会受第一电路线的结构影响而不平坦;又于堆栈于绝缘层上并覆盖有第二电路线的钝化层的一表面制作为具有平坦的特征,使钝化层的表面不会受第二电路线的结构影响而不平坦;钝化层的平坦层可供有机光阻在旋转涂布的制程中,均匀地扩散而不会受结构影响而产生光阻不均现象。 | ||
搜索关键词: | 改善 不均 薄膜晶体管 电路 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种改善光阻不均的方法,其用于具有复数个第一电路线的一基板,其包含步骤:设置一绝缘层于该基板上,并覆盖该些第一电路线;设置图案化的一第一光阻层于该绝缘层上,且该第一光阻层的图案与该些第一电路线平行;移除部分的该绝缘层以及该第一光阻层,形成一第一平坦层;设置复数个第二电路线于该绝缘层之上,该些第一电路线以及该些第二电路线于空间的垂直方向上交错排列;设置一钝化层于该些第二电路线之上;设置图案化的一第二光阻层于该钝化层上,且该第二光阻层的图案与该些第二电路线平行;以及移除部分的该钝化层以及该第二光阻层,形成一第二平坦层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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