[发明专利]改善光阻不均的薄膜晶体管电路结构及方法在审
申请号: | 201610104052.2 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN107134431A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 彭剑英 | 申请(专利权)人: | 凌巨科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1333;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人: | 寿宁,张华辉 |
地址: | 中国台湾苗栗*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 不均 薄膜晶体管 电路 结构 方法 | ||
1.一种改善光阻不均的方法,其用于具有复数个第一电路线的一基板,其包含步骤:
设置一绝缘层于该基板上,并覆盖该些第一电路线;
设置图案化的一第一光阻层于该绝缘层上,且该第一光阻层的图案与该些第一电路线平行;
移除部分的该绝缘层以及该第一光阻层,形成一第一平坦层;
设置复数个第二电路线于该绝缘层之上,该些第一电路线以及该些第二电路线于空间的垂直方向上交错排列;
设置一钝化层于该些第二电路线之上;
设置图案化的一第二光阻层于该钝化层上,且该第二光阻层的图案与该些第二电路线平行;以及
移除部分的该钝化层以及该第二光阻层,形成一第二平坦层。
2.如权利要求1所述的改善光阻不均的方法,其中该些第一电路线为闸极线。
3.如权利要求1所述的改善光阻不均的方法,其中该基板为玻璃基板。
4.如权利要求1所述的改善光阻不均的方法,其中该些第二电路线为数据线。
5.如权利要求1所述的改善光阻不均的方法,其中该第一光阻层的图案与该些第一电路线于空间的垂直方向上不相互重迭,以及该第二光阻层的图案与该些第二电路线于空间的垂直方向上不相互重迭。
6.一种改善光阻不均的薄膜晶体管电路结构,其包含:
一基板;
复数个第一电路线,设置于该基板之上;
一绝缘层,设置于该基板之上,并覆盖该些第一电路线;
一第二电路线,设置于该绝缘层之上;以及
一钝化层,设置于该绝缘层之上,并覆盖该些第二电路线;
其中,该绝缘层包含一第一平坦层,该钝化层包含一第二平坦层。
7.如权利要求6所述的改善光阻不均的薄膜晶体管电路结构,其中该钝化层的该第二平坦层用于设置一有机层。
8.一种改善光阻不均的方法,其用于具有复数个第一电路线的一基板,其包含步骤:
设置一绝缘层于该基板上,并覆盖该些第一电路线;
设置复数个第二电路线于该绝缘层之上;
设置一钝化层于该些第二电路线之上;
设置图案化的一第二光阻层于该钝化层上,且该第二光阻层的图案与该些第二电路线平行;以及
移除部分的该钝化层以及该第二光阻层,使该钝化层形成一第二平坦层。
9.一种改善光阻不均的薄膜晶体管电路结构,其包含:
一基板;
复数个第一电路线,设置于该基板之上;
一绝缘层,设置于该基板之上,并覆盖该些第一电路线;
一第二电路线,设置于该绝缘层之上;以及
一钝化层,设置于该绝缘层之上,并覆盖该些第二电路线;
其中,该钝化层包含一第二平坦层。
10.如权利要求9所述的改善光阻不均的薄膜晶体管电路结构,其中该钝化层的该第二平坦层用于设置一有机层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造