[发明专利]微型发光二极管有效
| 申请号: | 201610095115.2 | 申请日: | 2016-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN105552190B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
| 发明(设计)人: | 陈立宜;张珮瑜;詹志辉;张俊仪;林师勤;李欣薇 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
| 地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 萨摩亚;WS |
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| 摘要: | 本发明公开了一种微型发光二极管,其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一电流控制层、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一电流控制层连接第一型半导体层,第一电流控制层具有至少一个开口于其内。第一电极电性耦接第一型半导体层。第二电极电性耦接第二型半导体层,其中第一电极与第二电极中的至少一个具有透光部分,且第一电流控制层在第一电极与第二电极中的前述至少一个上的垂直投影与透光部分重叠,其中透光部分为透明的或半透明的。借此,本发明的微型发光二极管,具有较小的发光区域,因此可继续缩小微型发光二极管的发光面积,同时维持微型发光二极管的尺寸。 | ||
| 搜索关键词: | 微型 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种微型发光二极管,其特征在于,所述微型发光二极管包含:第一型半导体层;第二型半导体层,其连接所述第一型半导体层;第一电流控制层,其连接所述第一型半导体层,所述第一电流控制层具有至少一个开口于其内;第一电极,其电性耦接所述第一型半导体层;以及第二电极,其电性耦接所述第二型半导体层,其中所述第一电极与所述第二电极中的至少一个具有透光部分,且所述第一电流控制层在所述第一电极与所述第二电极中的所述至少一个上的垂直投影与所述透光部分重叠,其中所述透光部分为透明的或半透明的,且所述第一型半导体层的电阻率与厚度分别为ρ1与t1,所述第二型半导体层的电阻率与厚度分别为ρ2与t2,且![]()
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