[发明专利]微型发光二极管

权利要求书

1.一种微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管包含：

第一型半导体层；

第二型半导体层，其连接所述第一型半导体层；

第一电流控制层，其连接所述第一型半导体层，所述第一电流控制层具有至少一个开口于其内；

第一电极，其电性耦接所述第一型半导体层；以及

第二电极，其电性耦接所述第二型半导体层，其中所述第一电极与所述第二电极中的至少一个具有透光部分，且所述第一电流控制层在所述第一电极与所述第二电极中的所述至少一个上的垂直投影与所述透光部分重叠，其中所述透光部分为透明的或半透明的，且所述第一型半导体层的电阻率与厚度分别为ρ1与t1，所述第二型半导体层的电阻率与厚度分别为ρ2与t2，且

2.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层的所述开口在所述第一电极与所述第二电极中的所述至少一个上的垂直投影与所述透光部分重叠。

3.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为介电层。

4.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层与所述第二型半导体层形成第一PN接面，所述第一电流控制层与所述第一型半导体层形成第二PN接面，且所述第一电极与所述第二电极配置成正向偏压所述第一PN接面，并反向偏压所述第二PN接面。

5.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层为P型半导体层，所述第二型半导体层与所述第一电流控制层为N型半导体层。

6.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层与所述第一电流控制层为P型半导体层。

7.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层与所述第二型半导体层形成PN接面，所述第一电流控制层与所述第一型半导体层形成萧特基阻障。

8.如权利要求7所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为所述第一型半导体层的电浆处理部位。

9.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层的电阻率为ρ₁，所述第一电流控制层为电阻率为ρ_h的高电阻率层，且ρ_h>ρ₁。

10.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为电子阻挡层，且所述第一型半导体层为N型半导体层。

11.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为电洞阻挡层，且所述第一型半导体层为P型半导体层。

12.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为透明的。

13.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层为反射的。

14.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，具有所述透光部分的所述第一电极与所述第二电极中的所述至少一个为全透明的。

15.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电流控制层具有多个所述开口于其中。

16.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一电极经由所述第一电流控制层的所述开口电性耦接所述第一型半导体层。