[发明专利]发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管

摘要

本发明提供一种发光二极管外延结构及其生长方法和发光二极管，生长方法包括如下步骤：1)向反应室中通入氢气、氨气和第一金属源，生成缓冲生长层；2)向反应室通入氢气、氨气和第二金属源，缓冲生长层生长为未掺杂层；3)向反应室通入氨气、第三金属源和硅原子，生成N型重掺杂层；硅原子浓度为1×1019～1×1020个/cm3；4)向反应室中通入氮气、氨气、第四金属源、硅原子和三甲基铟，生成多量子阱层；其中，所述硅原子浓度为1×1018个/cm3；5)向反应室中通入氢气、氮气、氨气、第五金属源和镁原子，生成发光二极管外延结构。本发明的生长方法通过生成V型缺陷降低非辐射复合几率，提升二极管外延结构的发光率。

主权项

1.一种发光二极管外延结构的生长方法，其特征在于，包括如下顺序的步骤：1)向反应室中的衬底层通入氢气、氨气和第一金属源，在所述衬底层上生成厚度为10～50nm的缓冲生长层；2)向所述反应室通入氢气、氨气和第二金属源，在所述缓冲生长层上生成厚度为50～3000nm的未掺杂层；3)控制所述反应室的转速为400～800r/min、温度为1060℃、压力为400托，向所述反应室通入氨气、第三金属源和硅原子，反应25～65min后，在所述未掺杂层上生成厚度为500～3500nm的N型重掺杂层；其中，所述氨气的体积为15～45L，所述第三金属源的流速为150～450mL/min，所述硅原子的浓度为1×1019～1×1020个/cm3；4)向所述反应室中通入氮气、氨气、第四金属源、硅原子和三甲基铟，在所述N型重掺杂层上生成厚度为10～6000nm的多量子阱层；其中，所述硅原子浓度为1×1018个/cm3；5)向所述反应室中通入氢气、氮气、氨气、第五金属源和镁原子，生成发光二极管外延结构。