[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201610091276.4 | 申请日: | 2016-02-18 |
公开(公告)号: | CN105895561B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 小林健司;泽岛隼;西村优大;中岛章宏;岛井基行;波多野章人 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置,包括:基板保持单元,一边将基板保持为水平一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转;处理液供给系统,将包括通过混合来发热的第一液体以及第二液体的处理液向由所述基板保持单元保持的基板供给。供给流路分支成多个上游流路。多个喷出口分别配置在距旋转轴线的距离不同的多个位置。作为药液(SPM)的成分的之一的过氧化氢从成分液流路向上游流路供给。包括多个第一流量调整阀以及多个第二流量调整阀的混合比变更单元针对各上游流路分别独立变更从多个喷出口喷出的药液所包含的硫酸以及过氧化氢的混合比。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:基板保持单元,一边将基板保持为水平,一边使基板围绕通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线旋转,处理液供给系统,包括供给流路、多个上游流路、多个成分液流路、多个喷出口、混合比变更单元,将包括通过混合而发热的第一液体以及第二液体的处理液向由所述基板保持单元保持的基板供给;所述供给流路将第一液体向多个所述上游流路引导,多个所述上游流路从所述供给流路分支,将从所述供给流路供给的第一液体向多个所述喷出口引导,多个所述成分液流路分别与多个所述上游流路连接,将要与第一液体混合的第二液体分别向多个所述上游流路供给,多个所述喷出口在多个所述成分液流路的下游的位置分别与多个所述上游流路连接,并分别配置在距所述旋转轴线的距离不同的多个位置,将包括在多个所述上游流路混合的第一液体以及第二液体的处理液,分别向包括所述基板的上表面中央部的所述基板的上表面内的多个位置喷出,所述混合比变更单元针对各所述上游流路分别独立变更从多个所述喷出口喷出的处理液所包含的第一液体以及第二液体的混合比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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