[发明专利]金属有机物化学气相淀积系统中反应室上盖的清刷方法在审
| 申请号： | 201610087408.6 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105624639A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王建立;曲爽;逯瑶;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/44 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种金属有机物化学气相淀积系统中反应室上盖的清刷方法，是金属有机物化学气相淀积系统反应室内外延片生长结束后，降低进入反应室上盖的循环水温度，使反应室上盖恒温在20～30℃，然后用毛刷按照一个方向直线清刷反应室上盖的附着物。由于反应室上盖表面的温度降低，附着在反应室上盖上的附着物温度降低，附着物由趋向于液态而变成趋向于固态，这样附着物就容易被刷掉，不会粘连到毛刷上，也不会堵塞反应室上盖的小孔。本发明通过降低反应室上盖本身的温度，降低反应室上盖附着物的温度，使附着物趋向于固态而容易被刷掉，防止了附着物为液态状态非常容易粘连到毛刷上并将反应室上盖上的小孔堵塞，同时清刷的相对比较干净，提高了清刷效率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 有机物 化学 气相淀积 系统 反应 室上盖 方法 | ||
【主权项】：
一种金属有机物化学气相淀积系统中反应室上盖的清刷方法，其特征是：金属有机物化学气相淀积系统反应室内外延片生长结束后，降低进入反应室上盖的循环水温度，使反应室上盖恒温在20～30℃，然后用毛刷按照一个方向直线清刷反应室上盖的附着物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
